Il 46 ° istituto della China Electronics Technology Group della Corporation ha prodotto con successo il primo cerchio di polvere di cristallo a gallio a gallio di ossido di gallio del mio paese
Il 27 febbraio, China Electronics Technology Group Corporation ha annunciato che China Electronics Technology Group 46th Institute ha prodotto con successo il primo cristallo di ossido di gallio del mio paese del mio paese, raggiungendo il livello internazionale più alto.
L'ossido di gallio è un nuovo tipo di materiale a semiconduttore a banda ultra largo con eccellenti proprietà fisiche e chimiche. Ha ampie prospettive di applicazione nei settori della microelettronica e dell'optoelettronica. Tuttavia, a causa del suo elevato punto di fusione, decomposizione ad alta temperatura e facile cracking, è estremamente difficile preparare singoli cristalli di ossido di gallio di grandi dimensioni.
Il team di ossido di gallio della China Electronics Technology Group 46th Institute si concentra su superfici policristalline, grandi dimensioni, doping elevato e bassi difetti. A partire dalla progettazione di campi termici di ossido di gallio di grandi dimensioni, ha costruito con successo una struttura sul campo termico adatto alla crescita di cristalli singoli di ossido di gallio 6- pollici. Questo risultato ha fatto una svolta nella tecnologia 6- pollici di ossido di gallio a gallio, ha buone proprietà di cristallizzazione e può essere utilizzato per lo sviluppo di substrati a cristallo singolo di ossido di gallio 6- pollici. Sosterrà fortemente il processo di candidatura pratico dei materiali di ossido di gallio nel mio paese e lo sviluppo di settori correlati.
China Electronics Technology Group 46th Institute è una delle prime unità nel mio paese a impegnarsi nella ricerca, sviluppo e produzione di materiali semiconduttori e fibre ottiche. Dal suo stabilimento, si è impegnato a fornire materiali funzionali elettronici ad alte prestazioni e altamente affidabili per le informazioni elettroniche del mio paese.
Negli ultimi anni, la China Electronics Technology Group Corporation si è concentrata su bisogni strategici nazionali, ha compiuto grandi sforzi nel campo dei materiali a semiconduttore a banda ultra larga come ossido di gallio, nitruro di alluminio e diamante e hanno ottenuto importanti brevi e risultati di riferimento, che ha sostenuto fortemente lo sviluppo dei materiali a semicontro di banda di banda in fase di banda di banda.