Colonna di silicio al carburo di silicio

Colonna di silicio al carburo di silicio

Il carburo di silicio sinterizzato di reazione (RB-SiC) è un materiale ceramico ad alte-prestazioni preparato mediante processo di sinterizzazione con reazione di infiltrazione per fusione di silicio (Si), caratterizzato da elevata durezza, elevata conduttività termica, bassa dilatazione termica, eccellente resistenza alla corrosione e stabilità alle alte temperature...
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Descrizione
Descrizione dei prodotti

 

Il carburo di silicio (spesso abbreviato come SiC e conosciuto in altre lingue come Siliziumcarbid, Carburo de Silicio o Carbure de Silicium) è un materiale avanzato e versatile. Nel contesto della produzione di semiconduttori, i lingotti di carburo di silicio si riferiscono al carburo di silicio monocristallino cilindrico prodotto attraverso tecniche di crescita dei cristalli come il metodo Physical Vapor Transport (PVT). Per le applicazioni elettroniche, questo processo richiede materiali precursori a purezza ultra-elevata per far crescere lingotti di politipi specifici (come 4H-SiC e 6H-SiC), con livelli di purezza che spesso raggiungono 4N (99,99%) e 5N (99,999%) per dispositivi ad alte-prestazioni. Al contrario, per la ceramica industriale, il carburo di silicio sinterizzato o il carburo di silicio legato per reazione vengono prodotti da polveri di purezza inferiore-per componenti come le tenute meccaniche. I lingotti monocristallini fungono da materiale precursore per la produzione di substrati di carburo di silicio (wafer). Dopo essere stati tagliati, macinati e lucidati, questi lingotti diventano i substrati di base per la produzione di chip semiconduttori. Il carburo di silicio è un semiconduttore e un materiale ceramico con ampio-bandgap di terza generazione, le cui prestazioni superano di gran lunga quelle del silicio tradizionale. È particolarmente adatto per ambienti operativi estremi che comportano alta temperatura, alta tensione, alta frequenza e alta potenza. Questo materiale esiste in varie forme come il carburo di silicio alfa, il carburo di silicio cubico e i comuni politipi 4H-SiC e 6H-SiC utilizzati in elettronica.

 

dettagli del prodotto

 

Nome del prodotto Colonna di silicio al carburo di silicio
Colore Personalizzato in base alle esigenze del cliente
misurare Personalizzato in base alle esigenze del cliente
Confezione Cartone/Pallet/caso di legno (secondo il requisito del cliente)
Tempi di consegna Prodotto standard-Entro 3 giorni
Progettazione di articoli Secondo il disegno o i campioni del cliente
Caratteristiche Buona qualità, prezzo basso, fabbriche multiple, consegna in base a quella più vicina alla tua posizione
Applicazione Ceramica industriale
Certificato ISO, CE

 

Silicon Carbide Silicon Column

 

Parametri prestazionali chiave e proprietà dei materiali

 

I parametri prestazionali e le proprietà principali del carburo di silicio per applicazioni elettroniche e industriali sono eccezionali:

  • Larghezza di banda proibita: il carburo di silicio ha un'ampia banda proibita di circa 3,2 elettronvolt (eV) (per il politipo tradizionale 4H-SiC), che è circa tre volte quella del silicio (1,1 eV). Un ampio intervallo di banda fa sì che i dispositivi SiC possano funzionare stabilmente a temperature più elevate, con una concentrazione di portatori intrinseca estremamente bassa, riducendo significativamente il rischio di corrente di dispersione. Per ottenere queste prestazioni ottimali è necessario l'uso di carburo di silicio ad elevata-purezza (ad es. 4N, 5N) per ridurre al minimo le impurità elettricamente attive.
  • Conduttività termica: il carburo di silicio possiede un'eccellente conduttività termica, circa 3,7-4,9 W/(cm·K), molto superiore a quella del silicio. Questa proprietà è fondamentale per gli elementi riscaldanti in carburo di silicio, i tubi in carburo di silicio utilizzati come tubi di protezione delle termocoppie e la gestione del calore nei dispositivi di alimentazione.
  • Intensità del campo elettrico di rottura e proprietà elettriche: il SiC ha un'intensità del campo elettrico di rottura molto elevata, circa 2,8 MV/cm. Ciò consente dispositivi di potenza efficienti e compatti. Le sue capacità si estendono anche agli usi in piastre e fogli ceramici in carburo di silicio per ambienti difficili. La resistenza alla rottura realizzata dipende fortemente dalla purezza del materiale e dalla qualità del cristallo.
  • Stabilità meccanica e chimica: il carburo di silicio presenta estrema durezza (Mohs ~9), alta densità e forte resistenza all'usura. Queste proprietà del materiale in carburo di silicio lo rendono ideale per tenute meccaniche, cuscinetti, ugelli, boccole e rivestimenti in carburo di silicio. La sua inerzia chimica ne consente l'uso nei crogioli al carburo di silicio e per applicazioni di rivestimento al carburo di silicio tramite CVD o altri metodi.

 

applicazione tipica

 

Sulla base di queste eccezionali proprietà, i materiali lavorati a partire dal carburo di silicio vengono utilizzati per produrre dispositivi a semiconduttore di potenza di fascia alta-e una vasta gamma di componenti ceramici industriali.

  • Veicoli a nuova energia ed elettronica di potenza: questo è il mercato in maggiore crescita. I substrati semiconduttori SiC (derivati ​​da lingotti 4N/5N di elevata-purezza) vengono utilizzati negli inverter e nei convertitori. Fornitori come Infineon, Wolfspeed e CREE sono attori chiave. Le parti in ceramica SiC industriale si trovano anche in sistemi correlati.
  • Tecnologia industriale e di processo: utilizzata per ceramiche-resistenti all'usura, guarnizioni e cuscinetti in carburo di silicio, ugelli, mattoni e materiali refrattari in carburo di silicio e componenti di pompe e valvole. I fornitori e i produttori di carburo di silicio forniscono queste parti sinterizzate o legate-per reazione, che in genere non richiedono purezza di grado-elettronico.
  • Nuova energia e stoccaggio dell'energia: negli inverter fotovoltaici e nei sistemi di stoccaggio, i dispositivi SiC (basati su substrati di elevata-purezza) migliorano l'efficienza. Gli elementi riscaldanti e i tubi di protezione in carburo di silicio vengono utilizzati nei forni industriali ad alta-temperatura.
  • Tecnologia aerospaziale, di difesa e-all'avanguardia: sfruttando la sua tolleranza alle alte-temperature e la stabilità strutturale, viene utilizzato per compositi di carburo di silicio, componenti ottici e armature.

 

Parametri dei prodotti

 

products parameters

Controllo di qualità

 

Nel rigoroso rispetto del sistema di gestione della qualità ISO 9001, implementiamo il controllo completo della qualità del processo-per garantire la fornitura coerente di prodotti di alta-qualità:

• Controllo al 100% delle materie prime, garantendo la qualità fin dalla fonte
• Utilizzo di linee di produzione avanzate di stampaggio a caldo-per processi stabili e affidabili
• Un sistema di test interno completo-che copre l'analisi di densità, durezza e microstruttura
• Disponibilità di certificazioni autorevoli di terze parti- (tra cui SGS, CE, ROHS ecc., fornite su richiesta)

Rimaniamo impegnati nel miglioramento continuo del nostro sistema di gestione, fornendo ai clienti una garanzia di prodotto coerente e affidabile.

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